掺Ge氧化硅薄膜波导制备工艺与应力研究

来源 :光子学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sisi200713

【摘要】

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采用等离子体化学气相沉积法在硅基底上沉积氧化硅薄膜,研究在不同工艺条件下薄膜的应力变化情况和折射率分布规律.利用应力测试仪测定晶圆在镀膜前后的形变量进而获得应力值

【作者】

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孙庆雨孙喆禹邢文超孙德贵

【机构】

：

长春理工大学理学院,吉林华微电子股份有限公司

【出处】

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光子学报

【发表日期】

：

2018年12期

【关键词】

：

薄膜氧化硅薄膜光波导应力折射率 Thin filmsSiO2 filmsOptical waveguideStressRefractive index

【基金项目】

：

吉林省科技厅项目(No.20180101223JC)和长春理工大学专项基金重点支持项目(No.129954)资助

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采用等离子体化学气相沉积法在硅基底上沉积氧化硅薄膜,研究在不同工艺条件下薄膜的应力变化情况和折射率分布规律.利用应力测试仪测定晶圆在镀膜前后的形变量进而获得应力值,并用棱镜耦合仪测试薄膜折射率.在其他条件相同的情况下,SiH4与N2O的流量比分别设为24、27.6和30时,在1539nm波长下薄膜平均折射率分别为1.4667、1.4592和1.4557,对应的晶圆应力向着压应力增加,分别为-50MPa、-200MPa和-430MPa.掺入8.3×10-7m3/sGeH4后,SiH4与N2O的流量

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