【摘 要】
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在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基势垒二极管。通过高温离子注入及相应的退火
【机 构】
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专用集成电路重点实验室(石家庄),中国电子科技集团公司第十三研究所,
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在n型4H-SiC单晶导电衬底上制备了具有MPS(merged p-i-n Schottky diode)结构和JTE(junction termination extension)结构的肖特基势垒二极管。通过高温离子注入及相应的退火工艺,进行了区域性p型掺杂,形成了高真空电子束蒸发Ni/Pt/Au复合金属制备肖特基接触,衬底溅射Ti W/Au并合金做欧姆接触,采用场板和JTE技术减小高压电场集边效应。该器件具有良好的正向整流特性和较高的反向击穿电压。反向击穿电压可以达到1300V,开启电压约为0.7V,理想因子为1.15,肖特基势垒高度为0.93eV,正向电压3.0V时,电流密度可以达到700A/cm2。
A Schottky barrier diode with an MPS (merged p-i-n Schottky diode) structure and a JTE (junction termination extension) structure is prepared on an n-type 4H-SiC single crystal conductive substrate. Through high-temperature ion implantation and corresponding annealing process, regional p-type doping was performed to form Schottky contacts by high-vacuum electron beam evaporation of Ni / Pt / Au composite metal. The substrate was sputtered with TiW / Au and alloyed Ohmic contact, using field plate and JTE technology to reduce the high-voltage electric field edge effect. The device has good forward rectification characteristics and high reverse breakdown voltage. Reverse breakdown voltage can reach 1300V, the turn-on voltage is about 0.7V, the ideal factor is 1.15, Schottky barrier height is 0.93eV, the forward voltage of 3.0V, the current density can reach 700A / cm2.
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