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利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理.由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆表面形成了厚度均匀的氧化层,薄膜质量也有了较大改善.这一结果为低压化学汽相沉积得到的隧穿氧化薄膜的平坦化提供了新思路.
利用ISSG退火改善隧穿氧化层的厚度均匀性
【摘 要】
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利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理.由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆表面形成了厚度均匀的氧化层,薄膜质量也有了
【机 构】
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上海宏力半导体制造有限公司,上海宏力半导体制造有限公司,上海宏力半导体制造有限公司
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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2005年12期
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