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利用扫描电镜电子通道衬度（SEM—ECC）技术观察和分析了[2^-23]和[1^-12]共轭双滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构．结果表明，驻留滑移带（PSBs）的位错结构随晶体取向的不同可呈现出不同的形态，如：[1^-12]晶体中的楼梯结构和[2^-23]晶体中的沿主滑移面排列的不规则或较规则胞结构．同时还观察到[2^-23]晶体中形变带的位错结构由一些不规则的墙和胞结构组成．对于晶体取向位于标准取向三角形[001]-[1^-11]边上的铜单晶体，其疲劳位错结构随晶体取向的不同发生有规律的变化，即：当晶