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本文研究了纳米圆柱形导体的电容。利用半经典理论即要求这些圆柱形导体有不为零的屏蔽长度为l，并且介电常数ε≠1，这其中包括了理想圆柱形导体及非理想圆柱形导体两种情况。计算并得出了一些有意义的计算结果。
关于纳米圆柱形导体电容问题的研究
【摘 要】
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本文研究了纳米圆柱形导体的电容。利用半经典理论即要求这些圆柱形导体有不为零的屏蔽长度为l，并且介电常数ε≠1，这其中包括了理想圆柱形导体及非理想圆柱形导体两种情况。计
【机 构】
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长春师范学院物理学院
【出 处】
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长春师范学院学报：自然科学版
【发表日期】
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2010年4期
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