剥层椭偏光谱法测定As~+注入Si的损伤分布

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:kekexil123
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本文用椭偏光谱测量与阳极氧化剥层相结合的方法,测量了注入能量150keV、注入剂量在10~(13)-10~(16)cm~(-2)范围内的As~+注入Si损伤层的光学性质,得到了光学常数n、k在损伤层内的分布,并用有效介质理论计算出损伤分布.所得损伤分布与损伤理论进行了比较,两者基本一致. In this paper, the combination of ellipsometry and anodization was investigated. The results show that As (superscript +) implanted Si at 150 keV and implantation dose of 10 ~ (13) -10 ~ (16) cm ~ The optical properties of the damaged layer are obtained, and the distribution of the optical constants n and k in the damaged layer is obtained. The damage distribution is calculated by using the effective medium theory. The damage distribution is compared with the damage theory and the two are basically the same.
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