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把不同面向的注氢硅片制成横截面样品，在高分辨率透射电子显微镜下进行观察，发现衬底面向对其中的微结构有明显的影响．首先表现为衬底中主要出现平行于正表面的氢致片状缺陷，即(100)衬底中，主要出现平行于正表面的{100}片状缺陷，而(111)衬底中出现的主要是平行于正表面的{111}片状缺陷．其原因是注入引起垂直正表面的张应变．另外，面向的影响还表现为，(100)衬底中出现的{113}缺陷在(111)衬底中不出现．在(111)衬底中出现的晶格紊乱团和空洞在(100)衬底中不出现．从而推测，{111}片状缺陷的