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为了提高脊波导结构的超辐射二极管（SLD）与单模光纤的耦合功率，研究了有源区与脊之间的残留层和上光限制层的厚度对SLD输出功率和近场光斑的影响．考虑了注入载流子横向分布的不均匀，较准确地计算了模式增益．结果表明，通过对残留层和上光限制层厚度的优化，可以有效提高SLD与单模光纤的耦合功率．
与单模光纤高效耦合的超辐射二极管优化设计
【摘 要】
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为了提高脊波导结构的超辐射二极管（SLD）与单模光纤的耦合功率，研究了有源区与脊之间的残留层和上光限制层的厚度对SLD输出功率和近场光斑的影响．考虑了注入载流子横向分布的不均
【机 构】
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清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年4期
【基金项目】
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Acknowledgement The authors would like to thank Mr. Xiaolong Hu for helpful discussions.
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