垂直各向异性Ho_(3)Fe_(5)O_(12)薄膜的外延生长与其异质结构的自旋输运

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垂直磁各向异性稀土-铁-石榴石纳米薄膜在自旋电子学中具有重要应用前景.本文使用溅射方法在(111)取向掺杂钇钪的钆镓石榴石(Gd_(0.63)Y_(2.37)Sc_(2)Ga_(3)O_(12),GYSGG)单晶衬底上外延生长了2—100 nm厚的钬铁石榴石(Ho_(3)Fe_(5)O_(12),HoIG)薄膜,并进一步在HoIG上沉积了3 nm Pt薄膜.测量了室温下HoIG的磁各向异性和HoIG/Pt异质结构的自旋相关输运性质.结果显示,厚度薄至2 nm的HoIG薄膜(小于2个单胞层)在室温仍具有铁磁
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