【摘 要】
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采用低电阻车的p型单晶硅,在高温条件下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿和过补偿硅。在常温下,测试扩散后电阻率分别为3.2×10~3、4.8×10~4、1.3×10~5、3.2×10~5Ω·cm的
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院新疆理化技术研究所,塔什干国立技术大学 新疆 乌鲁木齐 830011,
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采用低电阻车的p型单晶硅,在高温条件下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿和过补偿硅。在常温下,测试扩散后电阻率分别为3.2×10~3、4.8×10~4、1.3×10~5、3.2×10~5Ω·cm的几种样品的温度敏感特性,其相应的B值分别为5103,5600,6103,6502 K。这种扩锰硅是一种温度敏感材料,笔者将报道这些实验结果并讨论其热敏特性。
The use of low-resistance car p-type monocrystalline silicon, manganese metal diffusion under high temperature method, you can get high compensation and over-compensation silicon. The temperature-sensitive properties of several samples with resistivities of 3.2 × 10 ~ 3, 4.8 × 10 ~ 4, 1.3 × 10 ~ 5 and 3.2 × 10 ~ 5Ω · cm at room temperature were tested respectively. The corresponding B values Respectively 5103,5600,6103,6502 K. This Manganese is a temperature-sensitive materials, the author will report on these experimental results and discuss the thermal characteristics.
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