【摘 要】
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用反应蒸发技术蒸发铟—锡合金制备出适用于非晶硅太阳电池的铟锡氧化物(ITO)薄膜。在最佳条件下制备的ITO膜在某些波长透过率高达99%,在4000—7000A波长范围内平均透过率为9
【机 构】
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山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学物理系
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用反应蒸发技术蒸发铟—锡合金制备出适用于非晶硅太阳电池的铟锡氧化物(ITO)薄膜。在最佳条件下制备的ITO膜在某些波长透过率高达99%,在4000—7000A波长范围内平均透过率为93%,薄层电阻R(?)小于50Ω/(?)。研究了在氢气中退火对ITO膜光电性质的影响。对ITO膜的x射线衍射测量表明,ITO膜和In_2O_3膜具有类似的结构。
An indium tin oxide (ITO) thin film suitable for amorphous silicon solar cells was prepared by evaporating an indium-tin alloy by a reactive evaporation technique. The ITO film prepared under the optimal conditions has a transmittance of 99% at certain wavelengths, an average transmittance of 93% at a wavelength range of 4000-7000 A, and a sheet resistance R (?) Of less than 50? / (?). The effect of annealing in hydrogen on the photoelectric properties of ITO films was investigated. The X-ray diffraction measurement of the ITO film shows that the ITO film and the In 2 O 3 film have a similar structure.
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