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基于国内的0．18μmSiGeBiCMOS工艺，针对该工艺下SiGeHBTs功率器件击穿电压、工作频段的稳定性和最优负载阻抗值等方面的研究，给出了功率放大器的设计优化过程，比较了功率SiGeHBTs在共射和共基两种结构下的频率与最大功率增益性能．实现了一款应用于2．4GHz无线通信的全集成A类功率放大器．测试结果表明：S11〈-13dB，S22〈-10dB，S2，-13．8dB，输出ldB压缩点为10．97dBm，饱和输出功率为16．7dBm．