【摘 要】
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采用反应直流磁控溅射的方法,通过控制基体温度和N2/Ar流量比,在WC-6%Co基体表面上成功地制备了(Ti,Al)N薄膜.用AFM、XRD、显微硬度测试仪对薄膜的显微形貌、成分、显微硬度
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采用反应直流磁控溅射的方法,通过控制基体温度和N2/Ar流量比,在WC-6%Co基体表面上成功地制备了(Ti,Al)N薄膜.用AFM、XRD、显微硬度测试仪对薄膜的显微形貌、成分、显微硬度进行了测试.结果表明,在N2/Ar流量比较低时薄膜存在明显的(Ti,Al)N的( 111)织构,随着N2/Ar流量比的增大,这种(111)织构逐渐变弱,薄膜显微形貌发生较明显的变化,显微硬度也随之变化; N2/Ar流量比超过某一门槛值时不能生成(Ti,Al)N;在一定范围内(250～400 ℃),温度对薄膜质量的影响不是
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