【摘 要】
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利用离子源辅助的电子束热蒸发技术研制了高性能的Sr-F共掺杂SnO2(SFTO)基透明导电薄膜。所制备的SFTO薄膜具有良好的导电性和透过率,电阻率低于3.9×10-3Ω·cm,380
【机 构】
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发光学及应用国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院大学
【基金项目】
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国家自然科学基金(51102228,61106057),吉林省科技发展计划(20140520119J)资助项目
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利用离子源辅助的电子束热蒸发技术研制了高性能的Sr-F共掺杂SnO2(SFTO)基透明导电薄膜。所制备的SFTO薄膜具有良好的导电性和透过率,电阻率低于3.9×10-3Ω·cm,380~2500nm波段的平均透过率大于85%,功函数约为5.10eV。SFTO透明导电薄膜为非晶态薄膜,具有较好的表面平整度(Rq<1.5nm)。与工业上F掺杂SnO2薄膜的衬底温度(>450℃)相比,本文所用的衬底温度仅为300℃,有望直接将SnO2基透明导电非晶薄膜制备到柔性的塑料(PI、PA
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