【摘 要】
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InGaN layers capped with GaN were annealed at 550℃ for 1 hour. During annealing, cracks appeared and dissolved In GaN penetrated through the microcracks into t
【机 构】
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School of Electronic Science and Engineering, Nanjing University of Posts and Telecommunications,Ins
【出 处】
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Chinese Physics B
论文部分内容阅读
InGaN layers capped with GaN were annealed at 550℃ for 1 hour. During annealing, cracks appeared and dissolved In GaN penetrated through the microcracks into the V-pits to form indium-rich nanoprecipitates. Some precipitates, in-situ annealed under nitrogen ion irradiation by MBE, were confirmed to be cubic GaN on the tops of precipitates, formed by nitriding the pre-existing Ga droplets under nitrogen ions irradiation.
During annealing, cracks have been dissolved in GaN through the microcracks into the V-pits to form indium-rich nanoprecipitates. Some precipitates, in-situ annealed under nitrogen ion irradiation by MBE, were confirmed to be cubic GaN on the tops of precipitates, formed by nitriding the pre-existing Ga droplets under nitrogen ions irradiation.
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