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以六甲基二硅氧烷（HMDSO）和四甲基硅氧烷（TMDSO）为单体,以氧气以及氮气为反应气体,以氩气为电离气体,在载玻片、单晶硅片、PET等基材上采用13.56MHz射频等离子体聚合装置沉积硅氧氮薄膜。在薄膜的制备工艺中,通过改变各种工艺参数制备阻隔薄膜并研究所制备硅氧氮薄膜的性能。通过傅立叶红外光谱仪（FTIR）表征分析沉积膜的化学组成,采用透湿、透氧测试仪测试薄膜的阻隔性能,探讨工艺参数的变化对薄膜表面的成分和阻隔性能影响以及氮的加入对薄膜柔韧性的影响。