退火温度对掺铒硅1.54μm光致发光的影响

来源 :核技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sammerkong

【摘要】

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利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜.RBS分析表明掺铒硅的浓度接近10at%,即可达1021cm-3量级.XRD分析薄膜物相结

【作者】

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徐飞肖志松程国安易仲珍曾宇昕张通和顾岚岚

【机构】

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复旦大学应用表面物理国家重点实验室,北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,南昌大学材料科学与工程系,复旦大学应用表面物理国家重点实验室

【出处】

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核技术

【发表日期】

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2002年8期

【关键词】

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退火温度离子注入掺铒硅快速退火光致发光半导体材料结构发光薄膜发光材料 Ion implantation Erbium-doped silico

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利用金属蒸气真空弧(MEVVA)离子源将稀土金属Er离子注入单晶硅中,经快速退火制备出掺铒硅发光薄膜.RBS分析表明掺铒硅的浓度接近10at%,即可达1021cm-3量级.XRD分析薄膜物相结构发现,退火温度升高将导致Er偏析.通过RHEED和AFM显微分析可得,退火温度影响辐照损伤的恢复程度、Si固相外延再结晶和显微形貌.这些结构变化将影响掺铒硅发光薄膜1.54μm光致发光.

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