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对含驻留滑移带(PSB)的[123]取向的疲劳Cu单晶体,进行了高密度脉冲电流处理结果表明,高密度脉冲电流处理产生的热压应力改善了PSB-基体界面的应力集中状态,使驻留滑移带局部消失.理论计算同时表明,高密度脉冲电流处理能提高Cu单晶疲劳寿命.
高密度脉冲电流对Cu单晶体驻留滑移带的影响
【摘 要】
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对含驻留滑移带(PSB)的[123]取向的疲劳Cu单晶体,进行了高密度脉冲电流处理结果表明,高密度脉冲电流处理产生的热压应力改善了PSB-基体界面的应力集中状态,使驻留滑移带局部
【机 构】
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中国科学院金属研究所,中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室,中国科学院国际材料物理中心
【出 处】
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金属学报
【发表日期】
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2004年期
【基金项目】
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国家自然科学基金;
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