具有负有效质量的半导体载流子速度—电场特性

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:guanxming
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由于 p-GaAs 量子阱的价带色散关系存在负有效质量区域 ,导致空穴速度 - 电场曲线具有负微分速度特性 . 本文采用非抛物平衡方程理论计算得到了量子阱空穴的 “ N”形速度与电场关系 , 并首次给出了拟合得到的解析表达式 . 计算中 ,考虑了空穴 - 杂质散射 ,空穴 - 声学声子散射和空穴 - 光学声子散射等散射机制 ,讨论了晶格温度对速度 - 电场关系的影响 .
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