Hf掺杂BiSbTe3结构与热电性能研究

来源 :深圳大学学报(理工版) | 被引量 : 0次 | 上传用户：llaaxzl123

【摘要】

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以高纯Hf、Bi、Sb和Te为原料,在1000℃下,经10h氩气保护熔融状态下反应,冷却球磨制粉,再在氮气保护下进行热压（450℃,20MPa）,成功制备出一系列不同Hf掺杂量的Hf2x（Bi,Sb）2-2xTe3

【作者】

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刘福生敖伟琴罗锐敏冯学文张文华李均钦

【机构】

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深圳大学材料学院

【出处】

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深圳大学学报(理工版)

【发表日期】

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2008年3期

【关键词】

：

热电性能铪 Bi2Te3 Seebeck系数功率因子

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以高纯Hf、Bi、Sb和Te为原料,在1000℃下,经10h氩气保护熔融状态下反应,冷却球磨制粉,再在氮气保护下进行热压（450℃,20MPa）,成功制备出一系列不同Hf掺杂量的Hf2x（Bi,Sb）2-2xTe3化合物.X射线粉末衍射Rietveld分析说明,Hf在结构中占据6c晶位,以替代（Bi,Sb）的形式进入晶格.Hf掺杂引起BiSbTe3的Seebeck系数增大,电导率降低.功率因子在375K时达最大值526μW/mK^2.

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