10Gb／s，0．2μm GaAs PHEMT跨阻放大器分析与设计

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xuzw93

【摘要】

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对基于0．2μm GaAs PHEMT工艺设计的10Gb／s低噪声前置放大器进行了理论分析与仿真，并且进行了流片测量验证．电路采用共源结构，噪声小，灵敏度高．测量结果表明该前置放大器在3．3V单电源

【作者】

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蔡水成王志功高建军朱恩

【机构】

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东南大学射频与光电集成电路研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

：

2006年10期

【关键词】

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PHEMT 跨阻噪声 PHEMT trans-impedance noise

【基金项目】

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国家高技术研究发展计划（批准号：2001AA312060）和江苏省高校省级重点实验室开放基金（批准号,JSICK0403）资助项目

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对基于0．2μm GaAs PHEMT工艺设计的10Gb／s低噪声前置放大器进行了理论分析与仿真，并且进行了流片测量验证．电路采用共源结构，噪声小，灵敏度高．测量结果表明该前置放大器在3．3V单电源、50Ω输出负载的条件下，跨阻为57．8dB·Ω，带宽可达到11GHz，芯片面积为0．5mm×0．4mm．测试结果与理论分析和仿真结果比较符合，此前置放大器可以工作在10Gb／s速率．

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