【摘 要】
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基于0.18μm CMOS工艺,提出了一种为UHF RFID阅读器中VCO供电的低噪声、高电源抑制比LDO。根据LDO的基本结构,对噪声和电源抑制比进行了分析。采用两级结构,通过预调制级和低
【机 构】
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华东师范大学微电子电路与系统研究所;
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61306034,61302005)
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基于0.18μm CMOS工艺,提出了一种为UHF RFID阅读器中VCO供电的低噪声、高电源抑制比LDO。根据LDO的基本结构,对噪声和电源抑制比进行了分析。采用两级结构,通过预调制级和低通滤波器来降低输出噪声,采用电源负反馈结构为带隙基准电路提供独立电源,并在功率输出级增加减法电路来提高电源抑制比。仿真结果表明,该LDO在100kHz和1 MHz处的输出噪声分别为26nV/Hz1/2和6.7nV/Hz1/2,10kHz和1 MHz处的PSRR分别为-82dB和-71.6dB。在3.3V电源电压供电时,LDO消耗的静态电流为300μA。
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