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讨论是为动态随机的存取存储器(DRAM ) 的建筑学，材料和进程技术的评论和观点应用程序。从 DRAM 可伸缩的晶体管和电容器的关键挑战将被考察。继续按比例缩小，有很薄的硅隧道的多门设备是很有希望的。象鳍地一样的几体系结构完成晶体管(鳍联邦货物税) ，晶片结合了没有东西(儿子) 上的两倍门和硅门全面与好电的特征被表明了。电容器技术的进化的概述也从平面 poly/insulator/silicon (PIS ) 的早天被给出电容器到电容器为今天 50 nm 技术节点使用了的金属 / 绝缘体 / 金属(MIM