半导体硅片退火后检测工艺的发展探讨

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社会经济的快速发展促进了现代化科技的不断进步,因此,集成技术水平不断提高,器件尺寸不断缩小,进一步提高了硅衬底片的质量.硅片作为影响电池发电实际效率的重要因素,其质量起着重要的作用.硅片生产过程中需考虑的因素很多,这是因硅片生产本身存在一定的缺陷.基于此,本文详细论述了半导体硅片退火后检测工艺的发展.
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