【摘 要】
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本文提出一个合成TiN硬质薄膜的新方法,在氮气氛中,电子束蒸发沉积Ti的同时,用40keV的氙离子束对其进行轰击而合成TiN薄膜,该方法优于PVD和CVD之处在于合成温度低,薄膜与基体
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室,中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室,中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室,中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室,中国科学院上海冶
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本文提出一个合成TiN硬质薄膜的新方法,在氮气氛中,电子束蒸发沉积Ti的同时,用40keV的氙离子束对其进行轰击而合成TiN薄膜,该方法优于PVD和CVD之处在于合成温度低,薄膜与基体结合力强,其临界载荷达4.2kg,Knoop硬度达2200kg/mm~2,具有良好的耐磨损性能,报道了所合成的TiN薄膜在工业上应用的一些结果。
In this paper, a new method of synthesizing TiN hard film is proposed. TiN thin film is synthesized by vapor deposition of Ti under electron beam and nitrogen bombardment with a 40keV xenon beam, which is superior to PVD and CVD The synthesis temperature is low, the bonding strength between the film and the substrate is strong, the critical load is up to 4.2kg and the Knoop hardness is up to 2200kg / mm ~ 2, which has good wear resistance. Some industrial applications of the synthesized TiN film are reported.
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