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采用球栅阵列封装（BGA）焊点研究共晶SnPb焊点中的电迁移行为，分析了电迁移作用下SnPb焊点与Ni（P）镀层界面金属间化合物（IMC）的极性生长现象，从原子迁移的角度提出了互连焊点微结构演化的微观机理．焊点在焊接过程中形成厚度约为2μm的Ni3Sn4 IMC层，随后的120℃热处理并不会导致界面IMC的明显生长．而电迁移作用下，阳极焊点与镀层界面IMC出现异常生长，同时阴极焊点与镀层界面IMC生长受到抑制，最终在同一焊点中形成极性生长的现象．界面IMC的极性生长与电迁移引起的原子通量有关，Sn原子通量