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采用光悬浮区熔法以3 mm/h 的生长速度制备 Gd2PdSi3单晶。该化合物表现为同成分熔融，其熔点在1700＆#176;C 左右。与Gd2PdSi3化学计量成分相比，制备的晶体中Pd含量略低，导致了熔区内Pd的富集以及实验过程中熔区温度的降低。采用标准成分给料棒制备的单晶内含有少量定向的 GdSi 沉淀，可以通过退火热处理减少其含量但并不能完全消除。采用给料棒成分微调的方法制备出不含GdSi沉淀的高质量Gd2PdSi3单晶。