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本文提出了一种在线表征负偏压温度不稳定性（NBTI，negative bias temperature instabi1ity）退化的方法——直接隧道栅电流表征法（DTGCM，DT Gate Current Method）。用这种方法可以得到NBTI应力诱生在超薄栅氧化层中的缺陷密度（包括氧化层体陷阱密度和界面态密度），并得到PMOSFET器件阈值电压的漂移（△Vth）信息。这种方法可以有效避免NBTI恢复效应的影响。