【摘 要】
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飞利浦和微米及纳米电子研究中心IMEC日前共同宣布,成功制造出具有良好电气性能的65nm CMOS器件。这种65nm技术基于平面90nm bulk CMOS技术缩小版。器件具有45nm门极长
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飞利浦和微米及纳米电子研究中心IMEC日前共同宣布,成功制造出具有良好电气性能的65nm CMOS器件。这种65nm技术基于平面90nm bulk CMOS技术缩小版。器件具有45nm门极长
Recently, Philips and Micron and Nanotechnology Center IMEC jointly announced the successful fabrication of 65nm CMOS devices with good electrical performance. This 65nm technology is based on a reduced version of a planar 90nm bulk CMOS technology. The device has a 45nm gate length
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