Al_（0.6）Ga_（0.4）N/GaN/Al_（0.3）Ga_（0.7）N/Al_（0.6）Ga_（0.4）N量子阱中的Rashba自旋劈裂

来源 :物理学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sm3618

【摘要】

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正如人们所知,可以通过电场或者设计非对称的半导体异质结构来调控体系的结构反演不对称性（SIA）和Rashba自旋劈裂.本文研究了Al_（0.6）Ga_（0.4）N/GaN/Al_（0.3）Ga_（0.7）N/Al_（0.6）Ga_（0.4）N量

【作者】

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赵正印王红玲李明

【机构】

：

许昌学院电气信息工程学院

【出处】

：

物理学报

【发表日期】

：

2016年9期

【关键词】

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Rashba自旋劈裂自旋轨道耦合自洽计算极化效应 Rashba spin splitting spin-orbit coupling self-con

【基金项目】

：

国家自然科学基金（批准号：61306012）, 河南省高等学校青年骨干教师（批准号：2015GGJS-145）, 许昌学院杰出青年骨干人才计划资助的课题~~

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正如人们所知,可以通过电场或者设计非对称的半导体异质结构来调控体系的结构反演不对称性（SIA）和Rashba自旋劈裂.本文研究了Al_（0.6）Ga_（0.4）N/GaN/Al_（0.3）Ga_（0.7）N/Al_（0.6）Ga_（0.4）N量子阱中第一子带的Rashba系数和Rashba自旋劈裂随Al_（0.3）Ga_（0.7）N插入层（右阱）的厚度w_s以及外加电场的变化关系,其中GaN层（左阱）的厚度为40-w_s？.发现随着w_s的增加,第一子带的Rashba系数和Rashba自旋劈裂首先增加,然

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