沉积温度对CVD-SiC涂层显微结构的影响

来源 :火箭推进 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hexin123456789

【摘要】

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介绍了采用化学气相沉积（CVD）方法在C/SiC复合材料表面制备SiC抗氧化涂层的情况.对不同工艺条件下制备出的SiC涂层,使用SEM,EDS和XRD分析了沉积层的物相和显微结构.结果表明：SiC

【作者】

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王毅李洪春郭春峰

【机构】

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西安航天动力研究所

【出处】

：

火箭推进

【发表日期】

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2014年4期

【关键词】

：

化学气相沉积沉积温度 SIC涂层微观结构 chemical vapor deposition deposition temperature SiC coat

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介绍了采用化学气相沉积（CVD）方法在C/SiC复合材料表面制备SiC抗氧化涂层的情况.对不同工艺条件下制备出的SiC涂层,使用SEM,EDS和XRD分析了沉积层的物相和显微结构.结果表明：SiC涂层生长速度随沉积温度升高而升高,晶粒尺寸也随之增大;在较高沉积温度下,可以产生较大的沉积速度,但SiC涂层表面粗糙度将会增大.

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