CPU电源电路用沟槽栅MOSFET与e-JFET开关管的功耗对比研究

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本文主要针对低压功率开关管的功耗进行了理论分析,并在此基础上分别对两种典型结构的沟槽栅MOSFET和e-JFET在不同工作频率下的功耗分布和总功耗进行了定量的仿真计算和对比。通过研究发现,在一定工作条件下,常闭型e-JFET比目前常用的沟槽栅型MOSFET仅开关功耗就降低约24%,总功耗则降低约30%。将其运用于CPU电源电路中的开关功率管的制造,在高频领域有着极好的应用前景。 In this paper, the power dissipation of low-voltage power switch is analyzed theoretically. Based on this, the power dissipation and total power dissipation of two typical trench gate MOSFETs and e-JFETs under different operating frequencies are respectively studied Quantitative simulation and comparison. The study found that, under certain operating conditions, normally-off e-JFETs consume about 24% less switching power and a 30% reduction in total power consumption than the conventional trench-gated MOSFETs. Its use in the CPU power circuit switching power tube manufacturing, in the field of high frequency has excellent application prospects.
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