论文部分内容阅读
利用电子束蒸发法制备了单层HfO2膜，控制氧气流量从0mL／min以步长5mL／min递增至25mL／min（标况下）。利用ZYGO干涉仪测量基片镀膜前后的面形变化，代入Stoney公式计算出残余应力，分析了不同氧压下残余应力的变化情况。随着氧压的增大，残余应力由张应力逐渐过渡到压应力，当氧压过大时．压应力减小。因此可以通过改变氧压来控制应力。应力的变化与薄膜的微观结构密切相关，分析了所有样品的X射线衍射图（XRD），发现均为非晶结构。利用Ansys建立基片-薄膜有限元模型，将应力作用下基片的形变与实验结