B位复合离子取代NBT无铅陶瓷的电性能研究

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【摘要】

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采用两步合成工艺制备了新型Na1／2Bi1／2Ti1-x（Ni1／3Nb2／3）xO3系无铅压电陶瓷。研究了B位复合离子取代对NBT陶瓷晶体结构及压电、介电性能的影响。X射线衍射分析表明，所研究的组成均

【作者】

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单召辉刘心宇周昌荣

【机构】

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桂林电子科技大学信息材料科学与工程系,中南大学材料科学与工程学院

【出处】

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材料导报

【发表日期】

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2008年9期

【关键词】

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无铅压电陶瓷复合离子钛酸铋钠 lead-free piezoelectric ceramics complex ions sodium-bismuth

【基金项目】

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广西自然科学基金（0447092）

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采用两步合成工艺制备了新型Na1／2Bi1／2Ti1-x（Ni1／3Nb2／3）xO3系无铅压电陶瓷。研究了B位复合离子取代对NBT陶瓷晶体结构及压电、介电性能的影响。X射线衍射分析表明，所研究的组成均能形成纯钙钛矿（ABO3）型固溶体。陶瓷材料的介电常数-温度曲线显示该体系材料具有明显的弥散相变特征。适量的取代能提高材料的压电性能，在x=3％时压电常数d33=98pC／N，x=2％时厚度机电耦合系数k1=0．46，为所研究组成中的最大值。该体系陶瓷具有较大的kt值和较小的kp值，以及较大的各向异性，是一

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