HfOxNy的场发射特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：calvin0932

【摘要】

：

用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能,发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很好的发射稳定性.高压"锻炼"对提高HfOxNy场发

【作者】

：

段辉高谢二庆叶凡蒋然王晓明

【机构】

：

兰州大学物理科学与技术学院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年z1期

【关键词】

：

HfOxNy 场发射高压"锻炼"

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用直流溅射和高温退火相结合的方法制备了HfOxNy薄膜并测试了其场发射性能,发现其具有较低的开启电场、较大的发射电流密度以及很好的发射稳定性.高压"锻炼"对提高HfOxNy场发射性能起着关键作用,这与高压"锻炼"下薄膜内部结构和表面性质的改变有关.对场发射机理的研究表明,HfOxNy的场发射符合经典的FN隧穿理论.

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