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采用射频磁控溅射工艺在玻璃衬底上制备出c轴择优取向的ZnO：Al（AZO）透明导电薄膜，靶材为AZO（2％质量分数Al2O3）陶瓷靶。对在不同溅射功率下沉积出来的薄膜运用X射线衍射（XRD）、可见光区透射谱、四探针方法分别进行结构和光电特性的表征。得出在200W下沉积的膜性能最好，可见光区平均透过率达到89％以上，电阻率最低为9．3×10^-4Ω·cm。