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研究了电子束蒸发的掺稀土非晶硅基薄膜材料a—Si_(1-x)Gd_x的光吸收特性。这类材料的组分变化对近红外长波吸收特性的影响灵敏,在0.1at％<x_(Gd)<1at％区间内,薄膜光吸收的变化特别灵敏,其光学带隙随组分x的增加而变窄,由1.52 eV降到1.36 eV。掺入适量的Gd能补偿a—Si膜中的悬挂键,提高膜的热稳定性和力学性能。