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为了有效控制ZnO纳米线的生长，采用物理热蒸发法在外加电场的条件下制备ZnO纳米线．通过在沉积区引入外电场，制备出了定向生长的ZnO纳米线、纳米梳子及纳米锥．借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析仪和透射电子显微镜以及X射线衍射仪，研究外加电场对ZnO纳米线生长的影响．与没有外加电场的情况相比，ZnO纳米线的生长方式发生了较大的改变，由一点向空间发散生长转变为沿桌一方向定向生长，其平均直径约70nm，长约12μm．结果表明，外加电场能有效控制半导体纳米线的生长，使其生长更具有方向性。