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采用不同氮分压（RN2）的氩气和氮气混和气体溅射Mg0．18Zn0.82O合金靶材，在石英衬底上生长了MgxZn1-xO（MgZnO）合金薄膜，研究了氮分压对薄膜组分、结构和光学、电学性质．结果表明：薄膜中的Mg含量（x）随着RN2的增加呈线性增加，导致其结构和光学带隙（Eg）随氮分压变化．Mg含量随氮分压的变化归因于：当氮分压增加时，与N反应形成NO2的O原子数目增加，导致与Mg、Zn反应的O原子数目减少．而Mg比Zn优先与剩下的O原子结合形成MgO，导致只有部分Zn能够跟O结合形成ZnO．未反应的Zn