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采用分段恒电位电沉积法在FTO导电玻璃上制备了CuInSez（CIS）薄膜。通过线性电位扫描分析了阴极的电化学反应，并通过电化学沉积法制备了CIS薄膜。结果表明，恒电位电化学沉积的薄膜与CIS的化学计量比相差较大，增加溶液中铟离子的浓度，可以提高铟在镀层的含量，使薄膜更接近CIS化学计量比。而采用分段恒电位法沉积薄膜，可以抑制铜硒化合物的生长，使薄膜更接近于CIS化学计量比。