CeO2掺杂Si-B复合涂层的制备及氧化行为

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【摘要】

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采用两步包埋渗的方法在钼基体表面制备了不同CeO 2掺杂量的Si-B复合涂层,通过XRD、EDS和SEM分析了CeO 2掺杂对Si-B复合涂层在1150℃氧化前后表面物相和截面形貌的影响,并采

【作者】

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张勇张耿飞张宇涛宁璠晁奕冯鹏发

【机构】

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长安大学材料科学与工程学院,长安大学机械工程博士后科研流动站,金堆城钼业股份有限公司技术中心

【出处】

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材料导报

【发表日期】

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2020年18期

【关键词】

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钼两步包埋渗 Si-B复合涂层 CeO 2掺杂 molybdenumtwo-step pack cementationSi-B composite coati

【基金项目】

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陕西省科技计划(2020GY-278,2020ZDLGY12-07),中央高校基本科研业务费专项资金(300102318206),国家自然科学基金(51301023),国家级大学生创新创业训练计划(201910710152)

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采用两步包埋渗的方法在钼基体表面制备了不同CeO 2掺杂量的Si-B复合涂层,通过XRD、EDS和SEM分析了CeO 2掺杂对Si-B复合涂层在1150℃氧化前后表面物相和截面形貌的影响,并采用失重法研究了CeO 2掺杂前后Si-B复合涂层在1150℃下氧化160 h的氧化动力学行为。结果表明:适量CeO 2的掺杂对Si具有一定的催渗效果,当CeO 2掺杂量为1%(质量分数)时,所制备的Si-B复合涂层的厚度最大且均匀致密,但随着CeO 2掺杂量的增加,涂层厚度有所减小。CeO 2掺杂Si-B复合涂层在1

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