【摘 要】
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现在人们正在研究各种纳米线薄膜,因为它们很有可能成为新一代的场发射阴极而被应用于平面显示器等器件中.研究表明,除了纳米线的物理特性,薄膜的场发射特性也强烈地依赖于纳
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现在人们正在研究各种纳米线薄膜,因为它们很有可能成为新一代的场发射阴极而被应用于平面显示器等器件中.研究表明,除了纳米线的物理特性,薄膜的场发射特性也强烈地依赖于纳米线阵列的几何构造.一方面,薄膜阴极的纳米线阵列密度要足够大,使得大量的场发射源能够产生.另一方面,过大的密度带来的屏蔽效应将严重削弱纳米线尖端的局域电场.在本文的参数下,利用Ansys软件计算出了纳米线的最佳间距--使得纳米线之间的屏蔽效应可以忽略的最小距离--为纳米线高度的两倍.
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