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分析了传统CMOS工艺带隙基准源电路中基准电压设计的局限性。给出了一种低电源电压带隙基准源的电路设计方法，该电路采用TSMC0．13μm CMOS工艺实现，通过Cadence Spectre仿真结果表明，该电路产生的600mV电压在-30-100℃范围内的温度系数为12×10^-6／℃，低频时的电源抑制比（PSRR）可达-81dB，可在1-1．8V范围内能正常工作。