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新结构沟槽栅E-JFET的特点是在栅极下隐埋局域氧化层，以降低栅电容，从而改善器件的开关速度，尤其是适用于低压高频领域。通过理论及仿真分析，与无隐埋氧化层的沟槽栅MOSFET以及沟槽栅E-JFET进行了性能比较。结果证明，该结构具有最低的开关功耗，即Q0最小，在相同条件下相对于沟槽栅MOSFET和沟槽栅E-JFET来说，Q0的改善分别可达到86．3％和13．4％。