论文部分内容阅读
红外高频光电导衰减法测试硅单晶少数载流子寿命是优越的方法;但使用GaAs:Si发光二极管(LED)时因其波长(0.94μ)太短不适宜作长寿命样品测试。理论分析和实验数据都证明1.09μm是测试硅单晶寿命的最合适波长,本文叙述了1.09μm红外高频光电导衰减法的测试技术,数值计算获得了光脉冲照射后硅中非平衡载流子的分布并绘出半无限样品的表面复合修正曲线。