Sol—Gel法制备YBa2Cu3O7—δ—Agx复合超导材料的显微结构与性能

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:younger666
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
研究采用Sol-Gel法制备YB2C3O7-δ-Agx复合超导材料的显微结构与性能的关系,Ag的加入能使YBa2Cu3O7-δ相晶粒细化,结晶度提高,致密度增加,晶界无序区域变窄,这些都有利于材料性能的提高,但过多的加入Ag则导致材料性能下降。对Ag的作用机理作了初步探讨。
其他文献
描述铁电薄膜存储器在智能卡中的应用,并与半导体存储器比较。
本文在热力学计算低共熔点的基础上,根据玻璃的析晶动力学原理,提出用等析晶点组成来定量预测计算离子化合物硝酸盐玻璃形成区,预测结果与实际玻璃形成区符合得很好,这为离子化合
合成了组成为(Y,Zn,Sr)3(P,VO4):Eu^3+,Bi^3+的荧光材料,经X射线结构分析确定为Zn3(PO4)2结构,属于单斜晶系,空间群为P21/n。讨论了基质组成对Eu^3+离子发光性质的影响,用Y^3+取代了一部分Zn^2+;用VO4取代了一部分PO4由于基质的436nm发射与Eu^3+的激发态能级的
采用光学吸收和电子顺磁共振(ESR)技术表征不同热化学还原LiNbO3∶Ti,Mn(LN∶Ti,Mn)和纯的Li/Nb=0.945一致熔化LiNbO3(LN)晶体的热力学还原习性。将LN∶Ti(厚度为1mm)样品放在Li2CO3中、600℃、保温7h,产生690nm(~1.8eV,T=67%)和峰值靠近785nm(T=71%)的770~810nm光学吸收带,它们分别对应于Ti^3+的
随着半导体二极管激光泵浦技术的发展,掺钕锗酸铋(Bi4Ge3O(12))晶体重新成为一种引人注目的激光材料.本文给出Nd:BGQ在800nm附近的光吸收和激发谱,以及106μm波段的受激发射性能.并首次测得它在1.06μm处室温Verdet常数为
本文对B位二元复合钙钛矿型复合氧化物LaMyM'1-yO3(M、M'=Mn、Fe、Co;y=0.0·1.0)的结构和红外光谱进行了研究。B位元素复合对B-O键强度有较大影响,B位离子之间的相互作用及BO6八面体畸变所导致的晶体结构的改变在红
在4×10^9Pa,1025℃条件下合成三硫化铌,由XRD、SEM等分析了样品的结构,高压合成的三硫化铌属单斜晶系,用其作阴极材料,研究了铜离了对它的插和及其固电池。
用频率响应分析仪测量了氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)氧传感器的阻抗谱,该传感器用于硫酸制备过程中焙烧炉炉气的氧分压的测量。测量温度为680℃,气氛为空气,频率范围为0.01 ̄1MHz。用等效电路对测得的
本文利用水热合成方法对MSnO3和MSn0.5Zr0.5(M=Sr,Ba)的合成进行了研究,并采用XRD、SE几ICP等进行产物进行了表征,结果表明:在M(OH)2.SnO2(呈SnO2+ZrO2)-KOH体系中,当KOH/Sn和KOH(Sn+Zr)≥30时,260℃下晶化5-7天,可获得MSnO3和MSn0.5O3纯相,在M(OH)3-(SnO2+ZrO3)-KOH-H2O体系中,可通过控制介质
采用低衬底温度射频溅射的方法制得了低电阻率、高透过率的透明导电膜,沉积时的氧分压、衬底温度等对透明导电膜有很大的影响。衬底温度为室温时,制出了4.5×10^-4Ω·cm的透明导