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无线接收机小型化及低成本的发展趋势,要求人们解决高集成度及低功率的问题,从而推动了将射频部分与基带电路部分实现单片集成的研究,我们给出了利用0.18μm CMOS工艺设计的5.2 GHz低噪声放大器.在1.8 V电压下,工作电流为24 mA增益为15.8dB噪声系数为1.4dB.
1．8V 5．2GHz差分结构CMOS低噪声放大器
【摘 要】
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无线接收机小型化及低成本的发展趋势,要求人们解决高集成度及低功率的问题,从而推动了将射频部分与基带电路部分实现单片集成的研究,我们给出了利用0.18μm CMOS工艺设计的5
【机 构】
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东南大学射频与光电集成电路研究所
【出 处】
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中国集成电路
【发表日期】
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2004年1期
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