基于IGZO的阻变存储器的研究

来源 :农业技术与装备 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hlxc8k

【摘要】

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阻变存储器(RRAM)是新一代存储技术的理想代表之一,利用旋涂法和喷墨打印法制备了Ag/IGZO/ITO结构的RRAM,首先在ITO玻璃上旋涂IGZO薄膜,再在IGZO薄膜上打印Ag,制备MIM结构的

【作者】

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陈沼龙

【机构】

：

广东工业大学

【出处】

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农业技术与装备

【发表日期】

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2018年7期

【关键词】

：

阻变存储器 IGZ 喷墨打印 Ag电极 Resistive memoryIGZOInkjet printingAg electrode

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阻变存储器(RRAM)是新一代存储技术的理想代表之一,利用旋涂法和喷墨打印法制备了Ag/IGZO/ITO结构的RRAM,首先在ITO玻璃上旋涂IGZO薄膜,再在IGZO薄膜上打印Ag,制备MIM结构的器件,并使用半导体参数分析仪(KEITHLEY-4200A-SCS)测试其电学性能,测试结果显示其具有双极组变特性。

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