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依据光电导与弛豫时间成反比变化的理论，在蒸发温度为220℃的条件下用真空沉积法制备了多块厚度不同的a-Se薄膜，对其在X-ray照射下的光衰效应进行实验研究。实验结果表明a-Se薄膜在厚度较小时其灵敏度随厚度的增加而增加，在275－457μm之间时，a-Se灵敏度存在极大值。实验结果对基于a-Se薄膜光电导特性的探测器的性能优化有一定的指导作用。