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用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀800nm Ge，Ge薄膜在500℃以上退火有再结晶过程，退火后由非晶变成多晶.在Ge和GaAs界面处有互扩散，电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度p型，可能是由于Ga扩散到Ge中的掺杂或是Ge的缺陷行为所致.
GaAs上Ge薄膜的性能研究
【摘 要】
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用超高真空镀膜机在半绝缘GaAs衬底上蒸镀800nm Ge，Ge薄膜在500℃以上退火有再结晶过程，退火后由非晶变成多晶.在Ge和GaAs界面处有互扩散，电特性研究表明退火后Ge薄膜呈高浓度p
【机 构】
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北京师范大学低能核物理研究所
【出 处】
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北京师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2001年2期
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